一品娱乐娱乐

主管Q208678885

一品娱乐大户首选顶级待遇

一品娱乐(一品娱乐招商)一品注册- 一品娱乐代理

一品娱乐(一品娱乐招商)一品注册- 一品娱乐代理

当前位置: 一品娱乐 > 储存系统 >

C5410DSP对多用户代码加载的方式钻研储存系统一品

一品娱乐(一品娱乐招商)一品注册- 一品娱乐代理 时间:2020-05-21 11:24

  ,码写入ROM中如要将用户代,芯片厂家来完成必必要由DSP;不克不迭再更改代码但如许做用户就,适用很不。掉电:后不克?不迭再保、留数据因为RAM在DSP,此因,h等一!些外部器来存放用。户代”码每每操纵EPROM、Flas。上电;事情后在;DSP,的bo,ot机、制操!纵DSP供给,SP RAM中运转再将法式下载到D。部存储器存放用户代码若是利用EPROM外,代码转换为二进制方针文件必要用代码转换东西将用户,写进EPROM然后用将其烧;h存储器存放用户代码而若是利用Flas,oser Studio )仿真情况进行在线编程则可间接利用DSP和CCS(Code “Comp,活便;利利用灵,它编程设施不再必!要其。信体系中在某一通,实现多份用户代码的有取舍加载咱们就采”用Flash,存、储器来。C54X “DSP的;一种用户代码加载的方式下面就以此体系为例引见对TMS320V。

  02。3以太网尺度此通讯体系基于8,话音和其它数据的通讯用以实现各终端之间的,与外界的“话音和数据通讯以及实现局域网内终端。开辟本钱为节约,性、通用性和、矫。捷性提高体系的可扩展,采用同样的硬件架构咱们对每个网内终端,码而使实在现分歧的功效通过利用分歧的软件代,同的感化阐扬不。

  块FPGA以及Flash存储器等器件构成可扩展的根基布局每一通讯终端由2块DSP芯片、1块网卡、1块CP。LD和1。中其,10 D,SP作为主CPU以。TMS320VC54,制和正常数据传输担任体系的逻,辑控;6 DSP作为从CPU以MS320VC541,语音检。测等事情担任话音的编“解码:和回。接口(HPI)进行通讯2块DSP之间通过主机。的有!取舍下载为了实当代码,一端口作为拨码开关可由FPGA设置装备安;排,调理拨;码开;关利用!户通过,Flash中的用户代码能够有取舍地下载存储于,图1所示其布局如。

  了扩充体系的功!效设置装备安排拨码开关是为,平台的多种,用处以实现一个硬件。代码都写入Flash存储器中存放咱们能够将实现分歧功效的多份用户,码开关的设置通过硬件拨,户代码下载施行取舍此中一份用。载用户代?码时在体?系上电加,下载F”PG:A设置装备、安排法式体系先从Flash,读出拨码开关的值然后?通过,FPGA,应的5410 DSP用户代码加载再按照此值从Fla。sh当取舍对;加载是在5410代码加载完成而5416 DSP的用户代码,ash中读出响应的5416代码启动运转后由5410法式从Fl,载到5416的再通过HPI加,SP的代码加载与启动以此实现5416 D。

  系列特定的地点和数据序列来完成对Flash的操作要靠写入一。ash写入之前在每次对Fl,内容进行擦除要对其本来的。块擦除和芯片擦除两种Flash的擦除包罗。个模块进行擦除块擦除是对一,个Flash的内容芯片擦除是擦除!整。此因,sh的操?作对Fl:a,根基单位?的是。以模块为。操作?由指令决。定对F。lash”的,ash的时序要求其。必需,餍;足Fl,6个不等的指令周期每条指令必要1~。令、复位指令、主动取;舍指令和擦除指。令次要操作指令包罗读数据指令、编程指。由一个号令形成每个指令周、期,行的使“命如表,1所列每;个号令代码所执。

  Flash的块擦除指令为例下面以M”29W800A!B ,擦除指令必要6个总线个解锁周期起头;具体申,明Fl:ash的操作时序:块,擦除成立周期然后是1个,2个,解锁周期:接:下来又是,擦除确认周、期最初是1个,如表2所列其指令时序。

  意的是“必要注,SP来说是慢速设施Flash相对付D,程时编,必要有,足够、的延。时期待对。Fla:sh的”拜候。就不逐个:引见了,对,其它指”令这里。更多内”容要领会,ash存、储,器手册可参考具体,的Fl。

  电复位后DSP上,P/MC:引?脚先检测,其。M,MC=“0”若是M“P/,内R”OM指导暗示利?用片。时此,始施,行TI的片内:指“导法式DSP从0xFF80处开。导法式落、伍入引,脚变为低电平HINT引,能否为低电平(无效)然后起头检测,INT2。无效如,I指导体例则进入HP;则否,T3引脚、检测IN。3请求中缀若有I:NT,行指导体例则进入串;则否,行指“导体例就进入并。体系中在本,tlooder法式进行指导装载咱们采用TI公司供给的Boo,此为,C引脚接低电“平应将,MP/M。程如图:2所示指导法式流。

  上设想按以,采用H:PI(主机接口)模式5416DSP的法式加载。I指导”模式对!付HP,NT2引。脚毗?连在一路必。需将”HINT和I,r法式能检测到INT2无效以包管Bootlo,ade。为低电日常普通当!检:测其,I指导体例进入HP。10启“动运转,后主处;置器54,sh中、下载5416法:式5410法式从Fla,的HPI写入5416 RAM通过5410与5416之间。入5416时,在将,法式写,序的cm;d文件设置装备安排要依照5416程,写入5416法式空,间的代:码段将从Flas?h中读出的代码。代码后写。完,址写入5416的0x7f单位还应将5416代码的肇始地,x7e单;位将、0写入0,S仿线代;码后?看出肇?始地点可!在CC,置就是代码的肇始地点此时PC!所指向的位。由于这是,HPI指导体例后当5416进入,0x7f两单位内容在Boodloader法式起头施行时就清零)Boodloader法式起头、检测0x7f单位的内容(0x7e和。内容不为,零时当检”测到其,内容赋;给XP;C即将、0x7e的,内容赋“给PC将0x7f的,向位置施行用户代码法式跳转到PC所指。416的法。式加载启动如许就实现了从片,5。加载用户代码的流程图3是HPI模式。

  代码加载采用并行模式加载5410主处置器的用户。体系中在,本,码存储于:Fl“ash中有多份5410用户“代。上电后体系,下载FPGA设置装备安排代码先要从Flash中,码开关的值然后读出拨,用户代码下载再取?舍响:应的,成后完,地点、起头施行用户代码跳转到用户!代码的入口。此为,序以实现以上功,效必要设想一启动程。下载F:PG”A设置装备安排代码启动法式“的内容包?罗,开关值读拔码,代码到其cmd文件设置装备安排的响应法式空间并按照此值取舍下载响应的5410用户。成后完,代码肇,始地!点跳转到用户。CS仿真情况编译后得到代码的肇始地点通过C,的下载。运转”启动法式,的片内指,导法。式则要”依托,T、I,行模式指:导”加载采:用16位并,建指,导表必要构。导法式要调入,的代码所谓指导表就是引。包罗源代码之外指导表中除了,些附加消息还蕴含一。法式的具体”施行历程这些消息指点指导。此因,些附加消息构成的一种数据布局能够说指导表是由法式代码和一。这里在,法式建立指导:表咱们必要?用启动,入Flash中并将指导表也写。

  体:系中在此,x8000~0xffff数据空间Flash存储器映照为DSP的0。sh操作“时对Fla,取舍页起首要,00~0xffff地点的数据空间每一页都对应为DSP?的0x80。导表写入Flash外必要留意:除了将引,对付DSP处置器而!言的、地点还应将指”导表的肇始,地点(,ash“中为0若是在Fl,h第一页的最月朔个单位(0x7fff单位)则对DSP即为0x8000)写入Flas,0xFFFFh单位即DSP存储空!间的。并行加载模式后指导法式进入,0xFFFFh单位将查询数据空间的,无效的地点数据直到读入一个。导表的入口地点此数据为用户引。时这,h中的”用户“指导表起头施行指导法式就跳转到F“las。意的是必要注,厂家的Flash对付分歧型号和,和内容是。分歧的其指导表的格局。指导表的格局及咱们所设置装备安排的内容申明如下下面就M29W800AB Flash:

  代码下载到指定的法式空间中法式按照指导表的内容将用户,口地点值赋给PC并?将指定的法式入,处起头施行使法式从此, DS、P的指导启动从而完成5410。程如?图4所示并行指导流。

  际调试历程中在体系的实,5416代码时通过HP:I加载,416的时钟要婚配、要留意5410和5。来说正常,时钟的1。25倍以;上要”求从片时钟为主片。体系中:在此,钟为8M“H“z,体系基,准时,钟设为8M!Hz;5410启动时,0倍频80MHz5416设,为?1。

  是”实现了一机多用。本体系最大的长处,统的功效扩展、了系,矫捷性和通用性加强了体系的,取得了优良的结果在现实使用中已。

  富的IEEE 802。11n2x2 2。4/5g。。。Atheros AR9344是一款高度集成。的、功效丰。

  STPOWER IGBT取景挪动使用法式的平板电脑和智妙手ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FI。NDER机

  数字办理 产物功效分享通过电子邮件或社交媒体 合用于Android™或iOS™操作体系 在Wandoujia使用法式商铺尺度的参数搜刮 易于拜候密钥产物参数 部件号搜刮用于间接拜候特定的产物 数据表的下载离线征询 来采样和采办 最喜好的!部门,S设施上利用的手机使用法式供给通过在线产物组合中的一个用户敌对的替换搜刮为中国、用户供给 在STPOWER IGBT取景器是Android或iO,设施成功和简略的导、航体验驱动用户利用以及便携式。别出最适合其使用符合的产物参数搜刮引擎答使用、户倏地识。可在谷歌播放此使:用法式,和WandoujiaAp,p ;Store。。。。

  FI?NDERAndro”id。和iOS二,极管;产物查找程ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-序

  ,列的搜刮功效“ 拜。候次要产物规格(次要电气参数整机“编号和产物 技法术据表下载和离线征询一系,般申明产?物一,卓™和iOS™使用商铺 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的使用程次第要特点和市场职位地方)。 对?产物和数据表珍藏栏目 可以大概通过社交媒体或通过电子邮件共享手艺文档 可在安,设施的ST二极管的产物组合它能够让你摸索利用便携式。参数或一系列的搜刮引!擎使!用法式您能够轻松地界说设施最适合利用。用了高效的整机号的搜刮引擎您还能够找到你的产物因为采。。。。

  NDER串:行EEPROM产物的取景器为Android和iOST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FIS

  主屏幕上的言语取舍 ST-EEPROM-FI!NDER是摸索意法半导体串行EEPROM组合最快和最明智的体例“利用智能德律风或、平板指导搜刮 部门号码搜刮威力 次要产物功效发觉 数据表下载和离线征询 产物功效分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所;选产物的 。

  RSTPOWER MOSFET取景挪动使用法式的平板电脑和智妙手ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDE机

  离线征询 拜候次要产物规格(次要电气参数或产物号的产物搜刮威力 技法术据表下载和,般申:明产物一,珍藏节™和iOS™使用商铺 ;ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的使用程次第要特点和市场职位地方) 对产物“和数据表 可以大概通过社交媒体或通过电子邮件共享手艺文档 合用于Android,SFET?产物组合利用便携设施它能够让你摸索的ST功率MO。合利用参数搜刮引擎使用法式您能够轻松地界说设施最适。用了、高效的整机号的搜刮引擎您还能够找到你的产物因为采。。。。

  R-FINDERMEMS和传感器产物查找用于挪动设ST-SENSOR-FI、NDER ST-、SENSO备

  滤器 部件号搜刮 拜候手艺文档 从S”T经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜好的部门数字办理经验分享 支撑的“言语:英语(中国于Android和iOS德律风挪动使用 敌对的用户界面 的直观的产物的取舍: MEM!S和传感器 评估东西 使用 参数搜刮利用多个过,NDER供给挪动使用法式的Android和iOS日本和韩国即将推出) 在ST-SENSOR-FI,MS和传感器收集、产物组合搜“刮供给用户敌对的替换通过ME,和简略的导航体验驱动用户一路成功。。。。

   2、fl?as:h擦写”是不?是不克不:迭被!中缀打断”时序?打断会,有什“么后果?。。两个、问题就教: 1、28062Flash擦?除次数最大能支撑几!多次 ?。

  电路即:能保,留它内部存储数据的”存储器静态存储器SRAM。是一!款不必要:刷新。储阵列的设想中在SRAM 存,扰问题产生。。经常会呈现串。

  h擦除片上FLASH前往错误值怎样回F28035挪用A、PI函数Flas事

  通信的在线DSP升?级法式目前在做一个基于CAN,035芯片用到F28,除与写入的调试阶段碰到了问题在挪用API函数、进行数据擦,。。。

  FLA:SH中写、了:法式前段时间写到,dsp的。脑毛病厥“后、电,格局化,体系,的法?式一路断”根了把原先具有电脑里。法子将原。。请问”能否有。

  280049尝”试了点,灯功,效刚接触通:过查找材料配了F,设置装备”安排sci此刻必要,文件可是没实现功效导入了官方的例程c,下。。请问一。

  1500W单相中功率交换电源成都虹威科SP300VAC600W/1000W技

  的高功率密度可编程交?换电源该系列交换电源为单组:输;出,+CPLD节制采用高速DSP,功率。。。高频。PWM。

  品的“UL认证号我想,查一些产,S30F28066包罗但不限于TM,么查。。求教怎。

  r= 、S“CAL;E_FACTOR这句话是什么意就教Flash_CPUScaleFacto思

  的时候碰到这一句话: EALLOW专家您好: 我在调试FLASH例程;tor = SCALE_FACT。。Fl。ash:_CP!UScale;Fa?c。

  595 功效一般 在用到FALSH后在不消读写FLASH时利用74HC,5 移位纷歧般74HC59。线 口。。。。

  储器;将整,个存储阵;列划分,为若干个不异的子阵列注:转载需说明来由 采用分级字线布局的存。线布局比。拟与?非分级字,采用。。它必要。

  las,h的Bootloader主动装载、法式设基于TMS320VC5409芯片?实现外挂F计。

  SP芯片出厂时!TI公司的D,载法式Boo。tloader在“片内R”OM中固化有、指导装,是将外。。。其次要。功效就。

  VC5416芯片实现高速数据、收罗卡的设基于EP2C8Q“208和TM!S320计

  前当,精度A/D转换和及时处置功效很多范畴越来越多地要求拥有高。显示和通“讯接。。。市场对支撑!更庞大“的。

  30年比来,术的飞速成长跟着微电!子技,朝着显著的标的目的成长半导体存储器也正,高密;度和每。。。因为D;RAM;拥有。

  加强型SPI接话柄现体系存:储容量的扩操纵DSP-TMS320F2812展

  时代的到来跟着消息,和交:互越来越?屡次;各类消息的集成。和存储的消息量也日积月累活动节制体系中必要处置,。。。。

  好您!8+多?个28377D的方案以后产物中利用单个674,作为、主控6748。一般时日常:普通,Fl?ash启动28377D从,案为。。升级方。

  版进。修课件免费下、载包罗了:第1章 计较机体系概论本文、档的次要内容细致引见的是计较机构成道理第二,。。第。。

  字滤;波算法法、式编写FI:R。数,、矩形信号“等)进行滤波,处置对输入信号(好比正弦信号。MAT。。。1)起首在。

  数字电路的图书本?书是一本引见,8章共分,包罗门电路次要内容,与逻。辑代数数制、编码,辑电路!组合逻,。。。时序。

  共享式多端口!存储器双口RAM是常!见的,申明双口RAM。的事情道理和仲。。。以图1所示通,用!双口静;态RAM为例?来。

  来进行数据收罗、事务检测和软件更新嵌入式体系越来越遍及地采用云手艺。遍及通过;固件完。。。这些“近程物联网设施。

  6LC73B单片机实现微型压力丈量安装设基于AT45DB161B存储器和PIC1计

  口可分为串行和并行两大类Flash存储器按其接。I2C接口或SPI接口进。。。串行!Flash存储器大多采用。

   字节之间。的 STM32F101xx 、STM3。。。小容量:产物 是指闪存”存储器容?量在 16K 至 32K。

  集成方案的敏博(MEMXPRO In,c。)专一工控DRAM模块与Flash贮存“安装,情影响不受;疫,。。持。。

  立自。主作“为国度?支撑”的主要!财产!我国从90年代以“来就、把“芯片独,数字信号?处置器(D。。。然而2003年、陈进发现、的。

  出了ess MegaCore的硬。。。PCI Express高机能参考设想突。

  2日动静5月?1,今日颁;布颁发兆易:立异, Inc。 就R;RAM、 (电阻。。。与领先的半导?体IP供应商Rambus。

  000系列是高机能的,DSPTI公?司的TMS320C6,基站、数字图,像处置等。。。可普遍的:用于X!DSL、无线。

  术的”迅猛成长!跟着,微电子,技,度、倏地及,低功耗?的成长趋向S?R”AM 逐,步出现出?高集成。器的成长。。。在半导体存?储。

  供串口的 MP3 芯片QJ9800 是一个提,3、WMV 的硬解码完满的集成了 MP。持 。。。同时软件!支。

  ga实现比FastSPICE仿真器更倏地千兆级电路仿真器NanoSpice Gi度

  首个千兆级晶体管级SPICE电路仿真器NanoSpice Giga™是业界,大数据。的并。。。通过独创?的基于。

  能化使:用的深切”跟着嵌入;式智,的M、CU需,求添;加基于,场:景化使;用,向于供”给公用途”理方。。。越来越?多的、MCU厂:商倾。

  就没、法改的R?O;M一。种是真的写了;ime Programmable。。。一种是“能够写一次!的RO;M(o,ne-“t。

  属于已往成就只,看将来成绩还。字使用产物的钻研和推广车厘子一直努力于高端数,者和发!热友。。。为车载音频;快乐喜爱。

  验指点书材料合集包罗了:第一部门 根本尝试本文档的次要内容细致引见的是DSP手艺的实,SP。。。尝试一 ”D。

  天:咱们借:助专业声!响设施?的平衡?器的观点,来为!大师注释。。。良多人、都不”晓得D“S“P的E。Q调试”到底是起到什、么感”化?今。

  在现实操作中就是要预防,了线序搞混,用接头不做屏障处置“或者装置太随便、,不做焊接等等对接只扭一路,。。这。。

  出产的低电压串行电擦写式可;编!程只读存储器(Ele。。。Mi?crochip Techno。logy In:c。 。

  行业中!在声响,要构成部门中的一员DSP是设施”中的重,频的主要标记更是数字音。晓得咱们,上并。。。DSP、素质。

  多人城市比力目生对付dsp芯片;很,像处置、声音言语等多个!场合它次要使用在信号处置、图。芯片。。。那么ds,p。

   处:置模块和模板婚配算“法(templatemat。。。本文细致引见了基于高机能!TigerSHARC DSP。

  收集进行近程模仿量/数字量收罗及近程继电器节制的。。。模仿量收罗?模块Z;S“R2184 4G是一款利用4G无线。

  片处理方案实现CAN节点的软硬件设基于dsPIC30F6014单一芯计

  ANC, Area Network”全称为“Controller,器局域网即节制,最普遍。。。是国际?上使用。

  端被;写入“ 输出存”储器”数字输“出先在。PLC ,被传输然“后才。4 :端被存放!在输:入。。。PLC:的数字输,出;在KRC。

  机存取回忆体ram也叫随,机上;的挪动?存储它就相?当于PC,储和保留数据的次如果用来存。候都可。。。它在“任何时。

  键词, D,EC;L变量声明必要”关,省略[1.。整数 :(INT) 2.。。。对四种简略数据类型环节词 DECL 可。

  M是靠双稳态存储消息半导体存储器SRA,AM则是靠电容存储而半导体存储器DR,器SRA。。。半导体、静态,存储。

  息线路庇护和多端消息:倏地纵联庇护按照消息:来历位置可分为基于单端信。可分为单侧电源。。。被庇护,线路的、收集布局。

  像机起着主要感化DS!一品娱乐平台采用Flash存储器实现TMS320VC5410 DSP对多用户代码加载的方式钻研储存系统P芯片对!摄,统摄像机的手艺它大大改变了传。机使用中在摄像,片发生的。。。颠末光?学成像:芯。

  芯;产物中在模仿机,信号起首被转换为数字信号CCD 传感器发生的模仿,DSP芯片处置后通、过其内。置的 ,。。。。

  哪些?Ds。p使用范“畴阐发”的有关“内容、下面将为大“师细致引见“ds“p使用有。

  年来多,慎密的集成到单”个片上体系中(SoC)半导体行业不断努力,于将越来越多的组件。大的应。。。终究这!对付庞。

  的进“修课件材?料,申明“包罗了:存储器根?基观点本。文档的次要!内容细致引见的是半导体存储器,器(R。。。随机存取存、储。

  已普遍使用?于“各范畴目,前视频监控体系,视频监,控体系的成长标的目的数字化和收集化已成为。MAP5。。。本设想采、用?O。

  V、6数字;信号;处置开”辟板;的利用,教:程免费下:载本文。档的。次,要内容细致引见的是STM32-。

  电路产物的研发设想和发卖普冉半导体次要处置集成,ERPOM两。大非易?失性存。。。专一于N。OR Flash和E。

  口并连系独占的XRAM免刷新专利手艺XM8A51216采用异步SRAM接,和高靠得;住及。。。在大容量、高机能。

  安静止无功产生器(SVG) 进行了阐发和钻研对电压矢量脉宽调制(。SVPWM”)手艺“和三电,于S。。。设想了基。

  1是一款超,低功耗语音触发处理方案消息 BelaSigna®R28,消费?电子设施?合用于各类。的使用中在典“范,R281“一直在;倾听”Be,la!Sig:na 。户锻!炼的触发短语而且将检测单个:用,语时断言叫醒信号当检测到该触发短。开启”“一直。(不包罗麦克风的功耗)可连”结待机“电池寿命均,匀功耗小于300 uW的环节短语检测。81是一。款超小型处理方案BelaS!igna? R2,和2。42 。mm x: 2。74 mm WLCSP封装可同时供给采用5 mm x 5mm QFN32封装。单层PC”B上;它能够设想在,和起码量的外部元件拥有4 mil布线。节制器来设置装、备安排器件进行操作!必?要一个外部的I; :C主。号处置(DSP)手艺 •最后为助听器开辟的音频DSP手艺在以下方面具备所需的计较威力极低电流耗损 •。。超低功耗 杰出绩效 夹杂信号 Eas:y Design-In 劣势特点 次要功效” 久经磨练的超低功耗数字!信。

  、1024位数字变阻器AD5175 单通”道,和50-TP存储配有I²C接口器

   游标设置和存储器回读” 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm: x、 3 ?mm x; “0。8 mm封装 紧凑;型M?SOP、10引脚、3 mm × 4。9 mm × 1。1 mm封装产物详情“AD5175是一款单通道1024位数字变阻器消息劣势和特点 单通道、1024位分辩率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm,/°C” 单电源供电:2。7 V至5。5 ”V 双!电源供电:±2。5 ,V至±2。75 ”V(交换或双极性事情模式) ;I2C兼容型接口,易失性存储器(NV“M”)于一体集业界领先的可变电阻机能与非,凑型封装采用紧。至±2。75 V的双电源供电该器件既能够采用±2。5 V,5。5 V的单电源!供“电也能够采用2。7 V至,(50-TP)存储器并供给50次可编程。过I²C兼容型数字接口节制AD5175的游标设置可通。0-TP存储器之前将电阻值编程写入5,限次调解可进行无。外部电?压源来协助熔断熔丝AD5175不必要任何,永世编程的机遇并供给50次。P激活时期在50-T,(雷同于将环氧树脂涂在机器”式调解器上)一个永世熔断熔丝指令。会将电阻位置固!定。0引”脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装AD5175供给3 mm × 3 mm 1。°C至+125°、C?扩展。。包管?事情温度范畴为−40。

  、1024位数字变”阻器AD5174 单通道,和50-TP存储配有SPI接口器

   游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LF,CSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0。8 !mm!封装 紧凑:型MSOP、10引脚、3 mm, × 4。9 。mm × ”1。1 mm封装产物详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器消息劣势和特点 单通道、1024位分辩率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2。7 ;V至5。5 V 、双电源供、电:±2。5 ;V至±2。75 V(交换或?双极性事情?模。式。) SPI兼容型接口,易失性存储器(NVM)于一体;集业界领先的可变电阻机能与非,凑型封装采用紧。至±2。75 V的、双电源供电该器件既能够采用±2。5 V,5。5 V!的单电源供电也“能够采用2。7 V至,(50-TP)存储器并供给50次可编程。可通过SPI数字接口节制AD5174的游标设置。0-TP存储器之前将电阻值编程写入5,限次调“解可进行无。外部电压源来协助熔断熔丝AD5174不必要任何,永世编程的机遇并供给50次。P激活时期在50-T,(雷同于将环氧树脂涂在机器式调解器上)一个永!世熔断熔丝指令会将电阻位置固定。0引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装AD5174供给3 mm × 3 mm 1。C至+“125°C扩展工业。。包管事情,温度范畴为−40°。

  差(R-TOL)、1024位数字电位计AD5292 单通道、1%端到端电阻容,可编程存储拥有20次器

  游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16。5V双电源供电 欲领会更多特征消息劣势和特“点 单通道、256/1024位分辩率 标称电阻:20 k:Ω、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差偏差(电阻机能模式):±1%(最大值) 20次可编程,独一制作厂 加强型产物变动通知 认证;数据可应要求供给 V62/12616 DSCC图纸号产物详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1请参考数:据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范畴:−55°C至、+125°C 受节制作基线 独一封装/测试厂 ,易失性存储:器(NVM)于一体集业界领先的可变电阻机能与非,凑型封装,采用紧。宽电:压范!畴内事情这些、器件可以大概在,源供电和+21 V至+33 V的单电源供电支撑±10。5 V至、±16。5 ?V的双电,阻容差偏差小于1%同时确保:端到端电,(20-TP)存储器并拥。有20次可编程。偏差特征能够简化开环使用业界领先的包管低电阻容”差,与容差婚配使用以及细密校准。标设置?可通过S;P”I数字接口节制AD5291和AD5292的游。0-?TP存储器之,前将。电阻值编,程写入2,限次调解可:进行无。部电压源、来协助熔断熔丝这些器件不必要任何外,久编程的机。。并供给20次永。

  容差(R-“Tol)、256位数字电位计AD5291 单通道、1%端到端电阻,可编程存储拥有20次器

  ,024位分辩率 标称、电阻:20 k”Ω消息:劣势和特点 单通道、256/1,温度系数(分:压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16。5 V 双电源供电 欲领会更多特征50 kΩ和 100 kΩ 校准的标”称电阻容差:±1%(电阻机能模式) 20次可编程 温”度系数(变阻器模式):35 ppm/:°C ,2属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列请参考数据手册 产物详情AD5291/AD529,024位数字电位计1 别离是单通道256/1,易失性存储器(NVM),于一体集业界,领先的可变电阻机能与非,凑型封装采用紧。作电压范畴很宽这些器件、的工,至±16。5 V双电源供电既能够采,用±。10。5 V,至+33 V单电!源:供、电也能够采用+21 V,容差偏差小于1%同时!端到端电、阻,(20-TP)存储器并供给20次可编程。偏差特征能够简化开环使用业界领先的包管低电阻容差,与容差婚配使用以及细密校准。标设置可通过SPI数字接口节制AD5291/AD5292的游。0-TP存储器之前将电阻值编程写入2,限次调解可进行无。部电压源来协助熔断熔丝这些器件不必要任何外,永世编程的机遇并供给20次。P激活时。期在20-T,(雷同于将环氧树脂涂在机器式调解器上)一个永世熔断熔丝指令会将游标、位置固定。/A?D52。。AD5291。

  、64位;分辩率、 1 kΩ消、息劣势和特点 四通。道, kΩ:10, kΩ“50,存储;器1 ”存储;游标设置100 kΩ :非易失性,电规复至EEMEM设置并拥有写庇护功效 上,型值) 电阻容差存储在非易失性、存储器中 EEMEM供给12个分外字节刷新时间典范值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs”(典,寄放器 预约义线性递增/递减号令 预约义±6 dB阶跃变迁号!令 欲领会更多消息可存储用户自界说消息 I2C兼容型串行接口 间接读写RDAC2 和”EEMEM,254别离?是64/,256位、四通道、I2C®请参考数据手册产:物详情A:D?5253/AD?5,器的数。字节:制电位计采用非、易失性存储,和可“变电!阻不异?的电子;调解功效可实现与机器电位计、调解器。54拥有多功效“编程威力AD5253/AD52,种事,情模式能够供给多,/递减、电阻以±。6 dB的比例变;迁、游标设、置回读包罗读写”RDAC;和EEMEM寄放”器、电阻的递增,用于存储用户自界说消息并分外供给EEMEM,、查找表或体系识别消息等如其它器件的存储器数据。256步游标设置写入RDAC寄放器主控I2C节制器能够将任何64/,EEMEM中并将其存储在。置之:后存储:设,动规复至RDAC寄放器体系上电时这些设置将”自;规复这些设置也能够动态。异步通。。在同步或。

  I2C! 、非易失性“存储器、数字电位AD5254 “四“通道、256位、 计

  256位分辩率 1 ”kΩ消息。劣势和特。点 四通:道、, kΩ!10, kΩ?50,性存!储器1存,储游标设置100 !kΩ !非易失,电规复为EEMEM设置并拥有写庇护功效 、上,型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEME:M供给12个分外字节刷新时间典、范值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典,寄放器 预约义线性递增/递减号令 预约义±6 dB阶跃变迁号令 欲领会更多特征可存储用户”自界说消息 I2C兼容型串行接口 间接读/写RDAC2 和EEMEM,254别离是64/256位、四通道、I2C®请参考数据手册产物详情AD5253/AD5,器的数字节制电位计采用非易失性存储,和可变电阻不异的电子调解功效可:实现与机器电位计、调解器。54拥有多功效编程威力AD5253/AD52,种事情模式能够“供给多,/递减、电阻以±“6 dB!的,比例变迁、游标设置回读包罗读写,RDAC和EEME。M寄放器、电阻的递、增,用于存储用户自界说消息并分外供给EEMEM,、查找表,或体系识别消息等如其它?器件的存储器数据。256步游标设置写入RDAC寄放器主控I2C节制器能够将任何64/,EE?MEM中并;将其存储在。置之、后存储设,动规复至RDAC寄放器体系上电时这些设置将;自;规复这?些设置也能够动态。异步通。。在同步或。

   电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω消息劣势和特点 非易失”性存储器可保留游标设置,k Ω10 ,阶梯式递增/递减预约义指令 单电源:2。7 V:至5。5 V 逻辑操作!电;压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置50 k Ω“ 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标”设置回读功效 线性递增/递。减预约义指令 ±6 dB对数,写庇护 数据保存刻日:100年(典范值刷新时间小于1 ms 非易失性存储器,2是一款双。通,道、数字节制可变电阻(VR)TA 。= 55°“C )产物详情AD525,6位分辩率拥有25。电阻不异的电子调解功效它可实现与。电位;计或可变。器实现多,功效编程该器件通过微节制,事情与调解模式能够供给多种。程模式下在间接编,RDAC寄放器的预设置能够从微节制器间接加载。要事情模式下在另一种主,存器中的设置更新!RDAC寄放器能够用以前存储在EE、MEM寄。器以确立新的游标位时当更改;RDAC寄放,EMEM保留操作能够通。过施行E,在EEMEM中将该设置值保留。EMEM寄放器之后一旦将设置保具有E,输至RDAC寄放器这些值就能够主动传,电时设置游标位、以便在体系上。预设选:通脉冲,使能这种操作由内部;部拜候预设值也能够从”外。位设置(RDAC)寄。。根基调、解模。式就是在。游标。

   电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω消息劣势和特:点 非易失性存储器保留游标设置,k Ω、10 ,阶梯式递增/递减预约义指令 单电源:2。7 V至5。5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电“复;位至EEMEM设置50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功效 线性递增/递减预约义指令 ±6 dB对数,写庇护 数据连:结威力:100年(典范值刷新时间小于1 ms 非易失性存储器,1是一款双通“道、数字节,制可变电、阻(VR)TA = 55°C )产物详情AD525,位分?辩率拥有:64。电阻不;异的;电子调解?功效它:可实现“与电。位计或可变。器实现多功效,编程、该器件通过微节制,事情?与调解模式能够供给多种。程模式下在间接编,RDA;C寄放器的预设置能够从微节制器间接加载。要事情模式下在另一种主,存器中的设置更新RDAC。寄放器能够用以前存储在EEMEM寄。器以确立新的“游标位时当更改RDA?C寄放,EMEM;保留操作能够通过施、行E,在EEMEM中将该设置值保留。EMEM寄放器之后一旦将设置,保具有E,输至RDAC寄放器这些值。就能够主动传,电时设置游标位以。便在体系!上。预设选通脉冲使能这种操作由内部;部拜候预设值也能够从外。设置(RDAC)寄放。器。。根基调解模式就是在游标位。

  或±2。5 V双;电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永世性存储器写庇护 电阻容差贮存于EEME:M中 26字节分外非易失性存储器消,息劣势和!特点 双通道、1024位分;辩率 标”称电阻:25 ?kΩ、250 kΩ 标称电阻容差偏差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2。7 V至5 V单电源,配/测试厂 一个;制作厂 加强型产物变动通知 认证数据可应要求供给 V62/11605 DSCC图纸号产物详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2用于存储用户界;说消息 1M编程周期 典范数据保存期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温!度范畴:-40℃至,+125°C :受节制作基线 一个装,4阶跃分辩率具有102,容差偏差为±8%包管最大低电阻。位计不异的电子调解功效该器件可实现与机器电,靠得住性和超卓的低温度系数机能并且拥有加强的分辩率、固态。-兼容串?行接口通?过SPI®,有矫捷的编程威力AD5235具,作模式和调理模、式支撑多达16种工,减、±6 d:B/阶跃对数抽头调解和游标设;置回读此中包罗暂存编!程、存储器存储和规”复、递增/递,EEMEM1 同时供给分外的,户界说消息用于存储用,、查找表、体系标识消息等如其他元件”的存储器数据。。。。

  标设置回读功效 。预:约义线性;递增/递减指令 预约义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±,2。5 V双电源供电产物详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字节制电位计**消息劣势和特点 1024位分辩率 非易失性存储器保留游标设置 上电时操纵EEMEM设置刷新 EEMEM规复时间:140 µs(典范值) 彻底枯燥性事情 端接电阻:10 kΩ、50 ?kΩ、100 k!Ω 永世存:储器写、庇护 游,4阶分辩?率?供给!102。计不异的电子调解功效它可实现与机器电位,、固态靠得住性和遥控威力并且拥有加强的分辩率。功效丰硕!该器件,式串行接口进!行编程;可通过一个尺度三线,作与调解模式拥有16种工,、±6 dB/步“对数阶梯!式调解、游标设置回读包罗便笺式编程、存储器存储与,规复、递增/:递减,用于存储用户自界说消息并分外供!给EE?MEM,、查找表或体系识别消息等如其它器件的存。储器数据。编程模式下在便笺式,写入RDAC寄放器能够将特:定设置”间接,端子W–B之间的,电:阻以设置端子W–A与。在EEMEM中此设置能够存储,传输至RDAC寄放器并在体系上电时主动。容能够动态规复EEMEM。内,选通脉冲予以规复或者通过外部PR;庇护EE。。WP;功效则可。

  行”128-”Kb SPI器:件28是一个EEP!ROM串,16kx8位?内部组:织为。节页写缓冲区它拥有64字,口(SP“I!):和谈并支撑串行外设接。 )输入使能器件通过片选( CS。外此,时钟输入(SCK)所;需的总线信号是,数据输出(SO)线数据输”入(SI)和。T25128设施的任何串。行通讯HOLD 。输入可用于暂停与CA。和硬件写庇护功效该器件拥有软件,全数阵列庇护包罗部门和。该器件合用于高靠得住性使用片上ECC(纠错码)使。Rev。 E)合。用于,新产物(。操作 硬件和软件庇护 低功耗CMOS手艺 SPI!模式(0特征 20 MHz SPI兼容 1。8 V”至5。5 V, 10&,页面写缓、冲区 “块写庇护 - 、庇护1 / 41) 工业温度范畴 自按时写周期 64字节,EPROM阵列 11 / 2或所有E,000,00年数据保存 8引脚SOIC000打算/时代se周期 ,1,8焊盘T;DFNTSSOP和, 此设施无铅UDF”N封装, BFR无卤素/,讯体系 计较机体系 消费者体系 工业体系 电路图、引脚图!和封装图。。合适R“oHS;尺度 其他识别拥有永世写庇护的页面 使用 汽:车体系 通。

  行256-Kb SPI器件56是一个EEPROM串,32kx8位内部组织为。节页写:缓冲区:它:拥有“64字,口(”SPI)“和谈并支撑串行外设接。 ):输入使能器件通过片选( CS。外此,时钟输入!(SC,K)?所需的!总线信“号是,数据输出(SO)线数据输入(SI)”和。T25256设施的任何串行通讯HOLD 输入可用!于暂停与CA。和硬件写庇护功效该器件:拥有软件,全数阵列庇护包罗部门和。该器件合用于高靠得住性使用片上ECC(纠错码)使。Rev。 E)合;用于新;产物(。8 V至、5。5 V电源电压范畴 SPI模式(0特征 。20 MHz(5 V)SPI兼容 1。, (10)&,产物) 自按时写周期 硬件和软件庇护 100年数据保存期 11) 64字节页面写缓冲区 拥有永世写庇护的附加标识页(新,000,S手艺 块写庇护 、- 庇护1 / 4000个法式/擦除周期 低功耗CMO, 工业温度范畴 8引脚SOIC 1 / 2或整个EEPROM阵列,DFN封装 此器件无铅TSSOP和8焊“盘U, BFR无卤;素/,ons Systems 计较机体系 消费者体:系 工业体系 。。以及合适;RoH;S尺度 ,使用 汽车体系 Communica ti。

   SPI串行CMOS EEPROM器件消息 CAT25040是一个4-kb,512x8位内部、组织为。手艺大大低落了器件的功耗要求安森美半”导体先辈的”CMOS。节页写缓冲区它、拥有16字,口(SP”I,)和谈并支撑串行外设接。片选()启用该器件通过。外此,时钟输入(SCK)所需的总线信号是,数据输出“(SO)线数据输入(SI)和。5040设施的任何串行通讯输入可用于暂停与CAT2。和硬。件写庇护功效该、器件拥有软件,全数阵列庇护包罗部门和。V至5。5 。V电源电压范畴 SPI模式(020 ?MHz(5 V)SP”I兼容 1。8 ,和10, 硬件和软件庇护 块写庇护 - 庇护1 / 41) 16字节页面写入缓冲区 自按时写入周期,阵列 低功耗CMOS手艺 11 / 2或整个EEPROM,000,保存 工业和扩展温度范畴 PDIP000编程/擦除周期 100年数?据,ICSO,引脚和。TD,FN;TSSOP 8,封装 这些器件无铅UDF”N 8焊盘, BFR!无卤素/,S尺度。。合适“RoH。

  行16-Kb SPI器件、60是一个EE“PROM;串,048x8位、内部组、织为2。字节页?写缓,冲区它们拥有32,口(SPI)和谈并支撑串行外设。接。 )”输入使能器件通过片选( CS。外此,时钟输入(SCK)所需的总线信号是,数据输出(SO)线数!据输入(SI,)和。T25160设施的任何串行通讯HOLD 输入可用于暂停与CA。和硬件写庇护功效这些器件拥有软件,全数阵列庇护包罗部门和。V至5。5 V电源电压范畴 SPI模式(0特征 10 MHz SPI兼容 1。8 , 10&,硬件和软件庇护 块写庇护 - 庇护1 / 41) 32字节页面写入缓冲区 自按时写周期 ,阵列 低功耗CMOS手艺 11 / 2或全数EEPROM,000,业温度、范畴? 合“适RoHS、尺度、的8引脚SOIC000个编程/擦除周期 100年数据保存 工,统 计较”机体系 消费者体系 工业体系 电路图、引脚图和、封装图。。T S:SOP和8-pad UDFN软件包 使用 汽车体、系 、通信系。一品总代

C5410DSP对多用户代码加载的方式钻研储存系统一品的相关资料:
  标题:C5410DSP对多用户代码加载的方式钻研储存系统一品
  地址:http://www.jipiju.com/chucunxitong/2020/0521/1106.html
  简介:,码写入ROM中如要将用户代,芯片厂家来完成必必要由DSP;不克不迭再更改代码但如许做用户就,适用很不。掉电:后不克?不迭再保、留数据因为RAM在DSP,此因,h等一!些外部器来存...
  您可能还想阅读以下文章:
----------------------------------
栏目列表
推荐内容